内存芯片
虽然机械硬盘无法达到SSD的高速度，但是大容量还是机械硬盘的长处，毕竟20TB的容量还得靠机械硬盘来实现。WD硬盘事业部执行副总裁兼总经理Ashley Gorakhpurwalla日前在接受采访时谈到了他对硬盘市场的看法。
Ashley表示，虽然机械硬盘现在没有出现在 MacBook、Windows 或 Chromebook 等客户端设备中，但放眼数据中心市场，情况就不一样了。在这个领域，闪存只占5-15%的份额，其余85%-95%的存储依赖机械硬盘，有些是磁带设备。
西部数据于今年 5 月推出了 22TB 和 26TB 机械硬盘，按照其产品路线图，下一个目标是 30TB的产品。未来的下一代产品将达到50TB容量。
8 月 3 日消息，去年，金士顿推出了高性价比的 NV1 PCIe 3.0 M.2 SSD，当时售价价格为 1TB 699 元，现在京东价格为 1TB 489 元。
现在，据博板堂消息，金士顿将在 9 月份发布 NV1 的升级款 NV2。
▲ 金士顿 NV1
据报道，目前已知NV2 是一款 PCIe 4.0 入门级 SSD，顺序写入速度 3500MB/s。
IT之家了解到，老款 NV1 M.2 SSD 顺序读取速度为 2100MB/s，顺序写入 1700MB/s，采用 PCIe Gen 3.0 x 4 通道。相比之下，PCIe 4.0 规格的 NV2 将在速度上有较大提升。
消息称，金士顿 NV2 SSD 上市后，老款 NV1 将停产。
Solidigm宣布，推出D5-P5430数据中心SSD，进一步扩展了其D5系列产品线。
现阶段，大多数企业应用以数据读取为主，而D5-P5430作为第四代PCIe QLC SSD，不仅能够为用户提供可观的存储密度并降低总体拥有成本（TCO），同时其读取性能亦与被广泛采用的TLC SSD相当。
当今企业应用普遍以读取数据为主，D5-P5430属于第四代PCIe QLC SSD，是一款针对主流和读取密集型工作负载优化的新型QLC SSD，这类型工作负载的读取率通常达到80%或者更高，需要以高吞吐量移动海量数据。D5-P5430提供了大量的存储密度和总拥有成本（TCO）机会，同时有着与广泛采用的TLC SSD相当的读取性能。
D5-P5430针对主流工作负载（如电子邮件/统一通信、决策支持系统、对象存储和虚拟桌面基础设施）和读取密集型工作负载（如内容分发网络、数据湖/管道、视频点播）进行了优化。这些工作负载的读取操作通常占据80%甚至更高，需要高吞吐量来传输大量数据。
作为可以直接替代基于TLC NAND的PCIe SSD的产品，D5-P5430能够帮助典型对象存储解决方案实现总体拥有成本能够降低高达27%，存储密度提高1.5倍，能耗降低18%。此外，与领先的TLC SSD相比，Solidigm的新产品可以带来高达14%的写入寿命提升。
凭借出色的容量密度，D5-P5430能够助力数据中心应对包括功耗、边缘计算和基础设施可持续性等在内的诸多挑战。相比其他解决方案，D5-P5430可以降低电力消耗和冷却成本，并将所需的驱动器数量降低高达2倍。
D5-P5430作为基于TLC NAND闪存的PCIe SSD替代品，可以将典型对象存储解决方案的总拥有成本降低27%，存储密度提高了50%，能源成本降低18%。此外，与性能领先的TLC SSD相比，Solidigm的这款最新SSD可以将写入寿命提高14%。
D5-P5430系列SSD支持1U和2U服务器存储配置，提供了U.2、E1.S和E3.S规格可选的产品，包括：
U.2 15mm 3.84TB – 30.72TB
E1.S 9.5mm 3.84TB – 15.36TB
E3.S 7.5mm 3.84TB – 30.72TB
Solidigm战略规划和营销副总裁Greg Matson表示，数据中心需要用具有成本效益和可持续的解决方案来存储和分析大量的数据，D5-P5430 SSD是一个理想的选择，为主流和读取密集型工作负载提供了高密度、降低总拥有成本、以及“恰到好处”的性能表现。
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受消费电子市场需求疲弱影响，存储产业2022年下半年以来持续“过冬”，加上今年一季度为市场淡季，供过于求关系下，产业库存高企。第二季度存储产业市况如何？未来是否将有所好转？近期，南亚科、华邦电两家存储厂商对此进行了回应。
南亚科：库存逐步去化，部分应用领域已出现急单 近期，媒体报道，DRAM厂商南亚科表示，今年一季度是产业库存高点，在需求与供应端改善下，库存正逐步去化，预期本季DRAM市况有望落底，公司在部分应用领域已出现急单。 为满足市场应用需求趋势，南亚科持续开发高速与低功耗产品，在技术推进上，20纳米产品在既有消费型应用客户基础上，会优化低功率产品的多元应用，不仅提升产品速度，而且会扩展至高端车载、高端电视等领域。 业界认为，在CXL与车用需求带动下，以南亚科为代表的非先进制程DRAM厂商有望从中受益。CXL有望为低端DRAM带来重要的增长机会，而车用芯片需求正持续高涨，车用内存需求未来也有望呈现结构性增长。 华邦电子：部分应用市场需求回温，客户急单涌入 无独有偶，另一家存储厂商华邦电子近期也对外表示，公司需求有所回温，部分应用市场出现急单的现象。 华邦电子透露，消费电子、电视、物联网等三大应用客户需求回温，工控相关接单也持续发烫，客户急单涌入，而且“量也不少”，将对公司营收有所助力。 另外，今年5月初华邦电总经理陈沛铭曾表示，PC厂调整库存已经到达健康水平情况，许多商用PC及消费电子回补库存的急单涌入。预期华邦电的营运在2023年的第一季达到谷底，第二季营运将有机会调升。因此，公司台中厂第二季产能利用率将较第一季提升10个百分点，之后维持每季成长的趋势。 整体需求尚未好转，DRAM及NAND Flash均价跌幅将再扩大 南亚科、华邦电子急单涌入的情况为行业带来了好消息，不过要指出的是，整体存储市场仍旧受到经济逆风、高通货膨胀、消费电子市场疲软等因素影响，目前整体需求尚未明显复苏。 全球市场研究机构TrendForce集邦咨询5月最新研究显示，由于DRAM及NAND Flash供应商减产不及需求走弱速度，部分产品第二季均价季跌幅有扩大趋势，DRAM扩大至13~18%，NAND Flash则扩大至8~13%。 其中，DRAM价格跌幅扩大的主因是DDR4与LPDDR5的库存过高。NAND Flash均价下跌主要因为市场供过于求状况仍未改善，Enterprise SSD、UFS跌幅扩大。
据韩媒报道，三星电子已经完成了“I Cube 8”的开发，这是一种可以集成多达8个高带宽存储器 (HBM) 的封装，并将于明年开始量产。
三星电子集团负责人金钟国在8日举行的半导体技术研讨会上表示，“未来半导体技术的竞争力将在于一个封装中可以集成多少逻辑和存储器。” 三星电子计划年内完成8个HBM的基础封装技术性能测试。
HBM是一种通过堆叠DRAM显著提高数据处理速度的存储器。由于内存堆叠水平高，它被认为是下一代封装技术，被归类为以人工智能（AI）、5G、云和数据中心应用为代表的高性能计算（HPC）的必需品。
随着以ChatGPT和超大规模数据中心为代表的生成AI需求的扩大，对大容量、运算速度快的内存需求也越来越大。2021 年，三星电子开发并量产了“I Cube 4”，它在一个封装中集成了四个HBM。继此次完成8个封装的开发后，三星计划通过推进搭载12个和16个HBM的封装技术的开发，引领先进封装市场。
随着HBM的扩展，封装和中介层面积也翻了一番。如果 iCube 4 的封装为 4225㎟，内插器为 1500㎟，则 iCube 8 的封装为 7225㎟，内插器为 2800㎟。配备12个HBM的iCube 12预计封装为7225㎟，内插器为3200㎟或更大。
做出这一决定是考虑到对“小芯片”不断增长的需求，小芯片将多个芯片连接成一个芯片，以克服单个芯片的性能限制和高成本。在2.5D封装工艺中，连接半导体印刷电路板（PCB）和芯片的中介层的作用很重要。
三星电子正在开发和升级垂直堆叠芯片的 3D 封装“XCube”。2020年首次亮相的第一代X-Cube技术已经应用于HBM，第二代技术已于去年完成可靠性验证，正在为量产做准备。
由于预计小芯片将决定下一代半导体市场的竞争力，三星电子计划通过封装以及优化结构、设计和工艺技术之间的协调来继续推进小芯片技术。
三星电子系统 LSI 部门负责人 Lee Kyung-min 表示：“通常小芯片被视为封装技术，但系统技术必须在结构、设计和处理领域做好准备，以实现可以作为单芯片。我们将确保和升级技术以克服超精细工艺技术和成本的限制，确保小芯片性能的优势，并提高功率效率。”
据韩媒报道，消息人士最新透露，由于OpenAI的高度先进的聊天机器人ChatGPT 引发了安全担忧，三星电子计划今年推出一项人工智能服务供内部使用。
消息人士称，三星电子联席首席执行官 Kyung Kye-hyun 负责监管芯片业务，最近在三星高管和员工参加的最近一次演讲中公布了该计划。
Kyung 表示，一个大型语言模型正在开发中，以支持芯片业务部门员工的知识搜索和翻译等任务，并计划在12月推出基本服务，并在明年2月推出更集成的服务。
根据该计划，基于人工智能的系统有望支持九个关键领域，包括产品采购和成本管理的自动响应；芯片生产的知识搜索和数据分析；以及其他行政工作，例如内部会议记录的翻译和抄录等。
Kyung还透露三星正在探索如何利用公司出色的技术为人工智能生态系统做出贡献。
消息人士称，他就三星未来人工智能集成解决方案的方向提出的一些想法包括宽带宽、高能效以及从智能手机到数据中心的集成架构。
据韩媒报道，三星电子预测，V-NAND堆叠竞争将持续到1000层或更多。1000层NAND将于2030年出现。V-NAND 最初仅24 层，在过去10年里已经发展到超过 200 层。
V-NAND是三星电子于 2013 年首次实现商业化的三维 (3D) NAND 闪存半导体。虽然东芝首次开发了NAND，但据评价三星电子生产的V-NAND成为普及的催化剂。目前生产的大多数NAND闪存都遵循V-NAND结构。
为了构建1000层以上的NAND，还有很多功课要做，比如实现稳定性，即使像建筑物一样层数增加时也不会倒塌、弯曲或断裂。
